Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники: учеб. программа дисциплины [В. А. Юзова] (pdf) читать постранично, страница - 5

разделов, которые
необходимо усвоить для изучения дисциплины «Актуальные проблемы
современной электроники и наноэлектроники».
Дисциплина «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники» является основной для изучения дисциплин: «Материалы
дисплейных устройств», «Нанокомпозиты», «Оптоэлектроника», которые
читаются позже.



Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники. Учеб. программа дисциплины

10

2. ОБЪЕМ ДИСЦИПЛИНЫ
И ВИДЫ УЧЕБНОЙ РАБОТЫ
Объем дисциплины и виды учебной работы приведены в табл. 2.
Таблица 2
Вид учебной работы
Общая трудоемкость дисциплины
Аудиторные занятия:
лекции
практические занятия (ПЗ)
семинарские занятия (СЗ)
лабораторные работы (ЛР)
Самостоятельная работа:
изучение теоретического курса (ТО)
подготовка и сдача лабораторных
курсовая работа:
расчетно-графические задания (РГЗ)
реферат
Задачи
Задания
Другие виды самостоятельной работы
Вид итогового контроля (зачет, экзамен)



Объем дисциплины,
часов / зачетных ед.

Семестр

Всего
108/3
54/1,5
36/1
–
–
18/0,5
54/1,5
9/0,25
9/0,25
36/1
–
–
–
–
–
зачет

10-й
108/3
54/1,5
36/1
–
–
18/0,5
54/1,5
9/0,25
9/0,25
36/1
–
–
–
–
–
зачет

Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники. Учеб. программа дисциплины

11

3. СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ
3.1. Модули, темы, виды занятий по дисциплине и их объем
в зачетных единицах/часах (тематический план занятий)
Тематический план занятий приведен в виде табл. 3.
Таблица 3
Лекции,
ЛР,
Самостоятельная
№ п/п
зачетные зачетные
Формируемые
Модуль и тема дисциплины
работа, зачетные
темы
единицы единицы
компетенции
единицы (часы)
(часы)
(часы)
Модуль1. Современные тен0,22 (8)
0,68(24)
денции реализации микро- 0,4 (14)
и наноструктур
ОНК-1, ОНК-2,
Тема 1.1. Поверхностные
1
0,11 (4)
0,11 (4)
0,06 (2)
ИК-1, ИК-2,
и межфазные границы
СЛК-1, СЛК-2
Тема 1.2. Перспективные
НИД-1,НИД-2,
2 технологии формирования 0,17 (6) 0,11 (4)
0,56 (20)
НИД-3
микро-и наноструктур
Тема 1.3. Квантовые основы
3
0,12 (4)
0,06 (2)
наноинженерии
Модуль 2. Технологические
аспекты создания устройств
0,6 (22) 0,28 (10)
0,82(30)
электроники и наноэлекОНК-3, ИК-1,
троники
ИК-2, СЛК-1,
Тема 2.1. Технология кванСЛК-2, ПДК-1,
4
0,17 (6)
0.11 (4)
0,56 (20)
товоразмерных систем
ПТД-1, ПТД-2,
НИД-1, НИД-2,
Тема 2.2. Реализация устОУД-3
ройств на основе высоко5
0,11 (4)
0,06 (2)
температурной сверхпроводимости (ВТСП)
Тема 2.3. Микроволновые
и оптоэлектронные техноОНК-2, ОНК-3,
6
0,16 (6)
логические и энергетичеИК-1, ИК-2,
ские системы
НИД-1, НИД-2,
ОУД-3
Тема 2.4. Проблемы экс7
0,17 (6)
0,17 (6)
0,22 (8)
тремальной электроники
Итого:
1 (36)
0,5 (18)
1,5 (54)



Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники. Учеб. программа дисциплины

12

3. СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ

3.2. Содержание модулей и тем лекционного курса
общей трудоемкостью 1,0 з. е./36 ч
(в зачетных единицах/часах)
Модуль 1
Современные тенденции реализации микро- и наноструктур.
Объем: 0,4 з. е./14 ч – аудиторные занятия;
0,06 з. е./2 ч – самостоятельная работа.
Тема 1.1. Поверхностные и межфазные границы (аудиторные занятия – 0,11 з. е./4 ч; самостоятельная работа по теоретическому изучению
темы – 0,06 з. е./2 ч).
Лекция 1 (2 ч – аудиторные занятия). Роль поверхности в создании устройств микро- и наноэлектроники. Поверхность и ее свойства. Поверхностный потенциал. Поверхностные состояния. Уровни Тамма. Быстрые и медленные поверхностные состояния.
Лекция 2 (2 ч – аудиторные занятия, 2 ч – самостоятельная работа).
Микро- и наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках и их свойства. Микрокластеры и их энергетическое состояние. Методы получения
и применения структур с атомными кластерами. Межфазные границы и их
свойства.
Самостоятельное изучение 0,06 з. е./2 ч:
1. Возможность формирования структур с минимальным рассогласованием по параметрам решетки.
2. Напряженные полупроводниковые структуры, их свойства и применение.
3. Выбор материалов полупроводниковых гетеропар, их электрофизические свойства.
4. Гетеропереход GaAs− AlxGa1-xAs как модельный элемент микрои наноэлектроники.
Тема 1.2. Перспективные технологии формирования микро- и наноструктур (аудиторные занятия – 0,17 з. е./6 ч).
Лекция 3 (2 ч – аудиторные занятия). Технологическе возможности
перспективных видов эпитаксии. Достижения молекулярно-лучевой эпитаксии. Газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений.
Лекция 4 (2 ч – аудиторные занятия). Создание интегральных устройств методами литографии. Традиционная фотолитография и ее проблемы.
Электронно-лучевая литография. Рентгеновская литография.
Лекция 5 (2 ч – аудиторные занятия). Литография высокого разрешения. Методы безмасочной технологии. Перьевая нанолитография. Нанопечатная литография. Электронный и ионный луч как инструмент