В целом средненько, я бы даже сказал скучная жвачка. ГГ отпрыск изгнанной мамки-целицельницы, у которого осталось куча влиятельных дедушек бабушек из великих семей. И вот он там и крутится вертится - зарабатывает себе репу среди дворянства. Особого негатива к нему нет. Сюжет логичен, мир проработан, герои выглядят живыми. Но тем не менее скучненько как то. Из 10 я бы поставил 5 баллов и рекомендовал почитать что то более энергичное.
Прочитал первую книгу и часть второй. Скукота, для меня ничего интересно. 90% текста - разбор интриг, написанных по детски. ГГ практически ничему не учится и непонятно, что хочет, так как вовсе не человек, а высший демон, всё что надо достаёт по "щучьему велению". Я лично вообще не понимаю, зачем высшему демону нужны люди и зачем им открывать свои тайны. Живётся ему лучше в нечеловеческом мире. С этой точки зрения весь сюжет - туповат от
подробнее ...
начала до конца, так как ГГ стремится всеми силами, что бы ему прищемили яйца и посадили в клетку. Глупостей в книге тоже выше крыши, так как писать не о чем. Например ГГ продаёт плохенький меч демонов, но который якобы лучше на порядок мечей людей, так как им можно убить демона и тут же не в первый раз покупает меч людей. Спрашивается на хрена ему нужны железки, не могущие убить демонов? Тут же рассказывается, что поисковики собирают демонический метал, так как из него можно изготовить оружие против демонов. Однако почему то самый сильный поисковый отряд вооружён простым железом, который в поединке с полудеманом не может поцарапать противника. В общем автор пишет полную чушь, лишь бы что ли бо писать, не заботясь о смысле написанного. Сплошная лапша и противоречия уже написанному.
между незаполненной зоной проводимости и полностью заполненной валентной зоной имеется запрещенная зона. Однако она относительно узка (меньше 2 эВ). При определенном, достаточно небольшом энергетическом возбуждении (тепловом или под влиянием электрического поля) некоторые электроны из валентной зоны могут переходить в зону проводимости. При этом в валентной зоне появятся вакантные уровни. Атом, у которого электрон перешел в зону проводимости, превращается в положительный нон. Недостающий электрон у такого атома может быть восполнен соседним атомом, который в свою очередь становятся положительным ионом, при этом положительный ион как бы перемещается в объеме валентной зоны. Такой подвижный положительный ион называется дыркой. Электрический ток в полупроводнике связан с движением дырок в валентной зоне и электронов в зоне проводимости, причем дырочный и электронный токи равны, так как освобождение одного электрона вызывает одновременно возникновение одной дырки. Полупроводник с такими свойствами называется собственным.
На рис. 1.7 показаны плоские модели кристаллической решетки собственного полупроводника, в котором, как легко заметить, имеется определенная симметрия структуры: любой атом полупроводника имеет на внешней оболочке четыре собственных электрона и связан с четырьмя электронами четырех соседних атомов. Аналогичную структуру может иметь изолятор (например, алмаз) с той лишь разницей, что в полупроводнике, как уже подчеркивалось, некоторые электроны могут при комнатной температуре переходить из валентной зоны в зону проводимости.
Рис. 1.7. Плоские модели (а и б) кристаллической решетки собственно полупроводника
Что такое несобственный полупроводник?
Это полупроводник, у которого для изменения свойств, в основном электропроводности, нарушена структура кристаллической решетки. Небольшое протекание тока в собственном полупроводнике происходит на основе равенства токов, возникающих из-за подвижных электронов и такого же числа подвижных дырок. В несобственном полупроводнике эти токи не равны, поскольку не одинакова концентрация электронов и дырок. Существуют два типа несобственных (примесных) полупроводников: полупроводники типа n и типа р.
Что такое полупроводник типа n?
В полупроводнике типа n преобладает электронный ток. Нарушения кристаллической структуры (рис. 1.8, а) достигают введением в кристалл чистого полупроводника (кремния или германия), примесей донорного типа (например, мышьяка), т. е. элемента, имеющего на внешней оболочке на один валентный электрон больше, чем германий и кремний. При этом в кристаллической решетке остается один электрон, который может легко перейти в зону проводимости и участвовать в прохождении тока как донорный или неосновной носитель.
В кристаллической решетке сохраняется ион с положительным зарядом. Следует подчеркнуть, что этот положительный ион в полупроводнике типа n неподвижный, а следовательно, не участвует в протекании тока в отличие от дырок, возникающих при собственной проводимости. В зонной модели полупроводника типа n (рис. 1.8, б) введение донорной примеси вызывает возникновение дополнительного энергетического уровня между зоной проводимости и валентной зоной.
Рис. 1.8. Плоская (а) и зонная (б) модели кристаллической решетки полупроводника типа n
Разность энергий между дополнительным уровнем и зоной проводимости настолько мала (для кремниевого полупроводника она составляет около 0,05 эВ), что электрон может легко перейти с этого дополнительного уровня в зону проводимости. Положительный ион, образовавшийся при отрыве электрона от атома примеси, остается фиксированным. Очевидно, что в полупроводнике типа n имеются также дырки, возникшие в процессе образования пар электрон — дырка при собственной проводимости, однако их значительно меньше, чем электронов, возникающих в основном за счет введения примеси. Дырки, существующие в полупроводнике типа n, называются неосновными, а электроны — основными носителями.
Что такое полупроводник типа р?
В полупроводнике типа р в качестве примесей — акцепторов используются атомы элементов, имеющие на внешней оболочке на один электрон меньше, чем кремний и германий, например индий. В кристаллической решетке (рис. 1.9, а) вблизи такого атома в одном из узлов отсутствует одни электрон и возникает дырка, которая заполняется электроном соседнего атома. В результате атом становится неподвижным отрицательным ионом, а дырка может перемещаться далее. Таким образом, в полупроводнике типа р носителями являются подвижные дырки, в то время как отрицательные ионы не принимают участия в прохождении
Последние комментарии
8 часов 2 минут назад
8 часов 16 минут назад
9 часов 24 минут назад
20 часов 42 минут назад
21 часов 2 секунд назад
21 часов 24 минут назад